紫外線

摘要：
降低輻照度需要增加有效晶片面積。如果不知道要測量的輻照度，則應使用 L 晶片光電二極體作為原型。

詳細解答：
晶片的主動面積決定了光電探測器能夠捕獲多少個光子。半導體偵測器，例如 SiC UV 光電二極體，將光子轉換為電流，即光電流 I。此光電流隨輻照度和晶片的有效面積線性增加。由於偵測器的價格隨著有效面積的增加而增加，因此面積的選擇本質上是成本和光電流之間的折衷。如果您知道要用紫外光電二極體測量的最小和最大輻照度，則可以使用以下簡化公式粗略估計給定有效晶片面積 AChip 的光電流 I。 I=Achip *Eλ *1000 其中 I 是光電流（單位為 nA），A 是有效晶片面積（單位為 mm²）（在此輸入 0.06 或 0.2 或 0.5 或 1 或 1.82，或 7.6 或 36 的值。）Eλ 是您要測量的紫外光源的光譜光譜為 mWcm/cm²）。最小光電流（待測最低輻照度下的光電二極體輸出）不得小於500pA。如果您不知道 Eλ，您應該先使用 L 晶片型光電二極體 (1.00 mm²)。

摘要：
紫外線測量，使用未濾波的寬頻 SiC 光電二極體作為標準。

詳細答案：
紫外線測量，使用未濾波的寬頻 SiC 光電二極體作為標準。如果紫外線源也發射不會對感測器訊號產生影響的輻射（例如，用於水或空氣淨化的中壓紫外線燈也會發射非殺菌紫外線輻射），則應選擇過濾的 SiC 探測器（僅 UVC、UVB+C 或 UVA）。

摘要：
這裡使用了我們的 SiC VUV 光電二極體。

詳細解答：
我們的標準 SiC 光電二極體在 220nm 以下僅具有較低的靈敏度。在約 200nm 以下，它們不再具有任何敏感性。對於需要測量低於 220nm 的輻射的應用，我們使用 VUV（「真空紫外線」）光電二極體。典型應用包括在 185nm 處破壞脂肪或水中的有機碳 (TOC) 或在 172nm 處使油漆消光。 VUV 光電二極體也用於監測 PFAS 光解。

摘要：
是的，但我們不建議使用它們。

詳細解答：
是的，我們生產 3535 SMD（陶瓷封裝）光電二極管，但我們建議使用金屬 TO 光電二極體。採用熔融玻璃窗口的金屬 TO 封裝和氣密封裝光電二極體晶片是一種成熟且高度可靠的工藝，已使用了 50 多年。採用 TO 封裝的 sglux SiC UV 光電二極體通常是產品中最可靠、最耐用的組件，即使暴露在非常強的紫外線輻射下或在高溫下工作也是如此。然而，包括 UVC 系列在內的長壽命 UV LED 開發的最新進展使得以 LED 取代低壓 UV 燈管成為可能，從而顯著縮小產品尺寸。紫外線透射測量模組或現場使用的LED UVC消毒模組等產品的小型化使我們的客戶能夠進入新的應用領域。有時我們的 TO 封裝中的紫外光電二極體被認為太大。我們的 SiC SMD 光電二極體系列專為這些應用而設計。該封裝由帶有礦物窗玻璃的陶瓷體組成，以使這些 SMD 光電二極體盡可能可靠。儘管如此，TO光電二極體在耐用性、可靠性和價格方面仍然是最佳選擇。

摘要：
標準使用 2 極光電二極體。

詳細解答：
標準使用2針光電二極體。一個引腳連接到光電二極體的金屬體和陽極。另一個引腳絕緣並連接到陰極。 3 針光電二極體的特徵是兩個隔離的引腳（連接到陽極和陰極）和一個連接到金屬外殼的引腳。當光電二極體封裝與客戶產品的金屬零件接觸時，使用 3 針光電二極體。

總結：
響應時間約為190ps（FWHM）。

詳細答案：
柏林亥姆霍茲中心對 266 nm fs 雷射脈衝的脈衝激發進行了研究。測量的 SiC 二極體的反應時間由 0 V 偏壓下的 7 ns 衰減常數決定。當最大偏壓為 -160 V 時，該值會呈指數收斂至 3.5 ns。使用現有設定無法精確測量上升時間，但比 80 ps（sigma）更快，約 190 ps（FWHM）。

摘要：
S 晶片型光電二極體在約 4.2 kW/cm² 時達到飽和。如此高的輻照度非常不尋常。

詳細答案：
光電二極體的飽和電流 Isat 由其開路電壓 VOC 和串聯電阻 RS 決定，公式如下：Isat = VOC / RS VOC 的典型值（SiC 光電二極體）為 2.0 V，RS = 5 Ohm。結果是 Isat = 2.0 V / 5 Ohm = 0.4 A = 400 mA。飽和輻射強度 z 使用以下公式計算：z = Isat / (S * A)，其中 S 是光電二極體的靈敏度，A 是主動面積。 S 的典型值為 0.16 A/W 和 A = 0.06 mm²（適用於 SG01S）。結果是：zsat = 0.4 A / (0.160 A/W * 6 * 10-8 m²) = 約。 42 兆瓦/平方公尺 = 4.2 千瓦/公分²。如此高的輻照度非常不尋常。然而，一些雷射測量應用可以在短時間內達到這樣的輻照度。這會影響光電二極體的輸出電流。請聯絡我們以獲取更多資訊。

摘要：
是的。

詳細回答：
是的，光電二極體是密封的，因此防水壓。但是，後部接觸針不得接觸水或濕氣。這會影響光電二極體的輸出電流。

TOCON 是一種紫外光電探測器，包含一個 SiC 或 GaP 探測器晶片和一個輸出 0 至 5 V 電壓的放大器電路。此輸出電壓與到達晶片的紫外線輻射強度成線性比例。

與裸露的紫外光電二極體相比，TOCON 的一大優勢是放大器位於 TO5 金屬外殼內，並且靠近探測器。這種結構可以保護探測器晶片產生的通常非常低的電流水平免受電磁幹擾以及濕氣和污染引起的干擾。 TOCON 需要考慮的一點是，與 SiC UV 光電二極體（10 個數量級）相比，其動態範圍較低（約 3 個數量級）。為了克服這個缺點，我們為每種 TOCON 類型提供了多種不同的放大級別，以避免幾乎所有應用出現飽和和電壓輸出水平過低的情況。

TOCON 比感測器探頭更小，而且便宜得多。此外，TOCON 還具有防水壓和密封性能。需要考慮的一點是，在存在強烈電磁幹擾或電壓過高的情況下，感測器探頭的性能可能會更好。原因是感測器探頭包含更多組件所需的空間，以避免由 ESD 或過電壓引起的問題。

不，TOCON 未經過校準。如果需要，sglux 校準實驗室可提供單獨的校準服務，包括校準證書。本文件將一個特定 TOCON 的電壓輸出分配給特定紫外線輻射源的輻照。交付時的 TOCON 在指定範圍內敏感。例如：TOCON_ABC6 對 180 nW/cm² 和 1.8 mW/cm² 之間的敏感度較高。這意味著 TOCON 將在約 時飽和（輸出電壓 = 輸入電壓）。 1.8毫瓦/公分²。在較低端，180 nW/cm² 的輻射仍將輸出幾 mV。在選擇 TOCON 時，要考慮的最重要的事情是不要將 TOCON 照亮至飽和程度。飽和不會損壞 TOCON，但電壓輸出可能不再與輻射輸入呈線性關係，因為飽和點以下的任何輻射增加都不會進一步增加輸出電壓。

理論上的最大訊號輸出總是比電源電壓略小（約 5%）。

不，不需要額外的擴大機。

請使用標準電壓表讀取訊號。警告！電源接線錯誤可能會導致設備立即損壞。請參閱隨設備提供的我們的應用說明。

TOCON 是一種具有許多內部組件的複雜產品。許多這些內部組件，特別是紫外線感測 SiC 晶片的量子效率和增益電阻值，都具有樣本間散射（變化）。 TOCON 設計用於訊號總散射度為 +/-20%，某些裝置會顯示出更大的差異。建議在選擇 TOCON 型號進行生產時，應選擇 TOCON，使得 5V 飽和水準是正常條件下設備預期訊號的兩倍，並且在正常/設計條件下，輸出電壓約為 2.5V。特別提醒客戶避免飽和狀況。當訊號電壓等於電源電壓（通常為 5V）時，即達到飽和狀態。飽和不會損壞 TOCON，但由於未知且可能過量的紫外線照射水平，可能會導致人身安全問題或其他損害。

TOCON 可以驅動低至 2 kOhms 的電阻負載，但我們建議不要不必要地強調此限制。在正常環境下，建議讀出電路的輸入阻抗為 >= 100 kOhm。在非常惡劣（EMI/EMC/雜訊）的環境中，可以考慮阻抗 >= 10 kOhm，同時考慮到輸出擺幅的輕微降低。在任何情況下，TOCON 對於高達 30 pF 的電容負載都是穩定的。如果無法避免更大的電容負載，則可能需要串聯 10 歐姆...100 歐姆的電阻來確保高達數百 nF 的穩定性。