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SG01D-18S 是德國 sglux 專為極高輻照度(High Irradiance)與極強光環境設計的微型化 UVB SiC 光電二極體。型號中的「S」代表 Small 晶片尺寸,感應面積僅 0.06 mm²(約為標準版 SG01D-18 的 1/8)。此設計能在大功率固化燈或強烈 UVB 光源近距離照射下,維持極佳的線性響應,避免產生過大光電流而導致後級跨阻抗放大器(TIA)飽和。
適合誰使用 SG01D-18S?
產品定義與智慧摘要
SG01D-18S 採用 0.06 mm² 的微型碳化矽(SiC)晶片,精準鎖定 231nm 至 309nm 的 UVB 波段。透過縮減晶片感光面積,有效限制強光下產生的峰值光電流(約 750 nA @ 10 mW/cm²),使後端信號處理電路能輕鬆維持在最佳線性工作區。具備 SiC 本質的極低暗電流(< 1 fA)、大於 10¹⁰ 的可見光盲性與最高 170°C 的工作耐溫。
為什麼選擇 SG01D-18S?
SG01D-18S 在高輻照度量測環境中展現獨特優勢:
- ⚡ 0.06 mm² 微型感光面積,防止電路飽和 專為強光照射設計,縮小晶片面積可比例降低光電流輸出,解決高功率光源導致放大電路過載的痛點。
- 🎯 專一 UVB 帶通響應 (231–309 nm) 嚴格過濾 UVA 與 UVC 頻段,且原生具備超高可見光與紅外光盲性(抑制比 > 10¹⁰),完全不受環境光與熱輻射干擾。
- 🔒 TO18 氣密金屬封裝,耐高溫零光衰 採用高規格氣密封裝,可承受 -55°C 至 +170°C 的極端工作溫度,獲得 PTB 認證長期高劑量輻照下零光衰退。
相關產品與應用推薦
SG01D-18S 核心應用領域
SG01D-18S 憑藉微型晶片防飽和特性與高環境適應力,廣泛應用於以下場合:
SG01D-18S 選型指南
根據您的光源強度與封裝需求,快速選擇最合適的型號:
| 您的需求情境 | 建議選擇 | 原因 |
|---|---|---|
| 極高輻照度 UVB 量測 / 貼近光源監測 | SG01D-18S(0.06 mm² / TO18) | 微型晶片限制峰值光電流,防止放大電路飽和並保持極佳線性度 |
| 中至低光壓 UVB 檢測 / 長距離監測 | 改用 SG01D-18(0.50 mm² / TO18) | 較大感應面積可提供更高的光電流輸出與信噪比 |
| 需要預裝放大電路,直接輸出 0-5V 電壓 | 改用 TOCON_B1 (TOCON 系列) | 內建 TIA 放大器,封裝於 TO5 鐵罐中,方便直接連接收集模組或 PLC |
| 需要加裝余弦修正器 (Cosine Corrector) 的探頭 | 改用 UV-Surface / UV-Cosine 探頭 | 具備 IP65 防水防塵外殼與標準工業訊號輸出(4-20mA 或 0-5V) |
SG01D-18S 技術規格參數
| 規格項目 | 數值 |
|---|---|
| 產品類型 | 微型感應面積廣域高輻照度 UVB 紫外線 SiC 光電二極體 |
| 感測晶片類型與面積 | SiC 碳化矽晶片 / 0.06 mm² (S 型) |
| 偵測光譜範圍 ($\lambda_{\text{10\%}}$) | 231 nm – 309 nm (UVB) |
| 峰值響應波長 ($\lambda_{\text{max}}$) | 約 280 nm |
| 光電流響應度(光照強度 10 mW/cm²) | 約 750 nA(於 280nm 峰值下) |
| 封裝類型與接腳 | TO18 氣密金屬封裝(1 絕緣腳 / 1 外殼腳) |
| 可見光盲與帶外抑制比 | > 10¹⁰ |
| 暗電流(-1V 反向偏壓) | < 1 fA |
| 工作溫度範圍 | -55°C 至 +170°C |
關於 SG01D-18S 的常見技術問題
SG01D-18S 與 SG01D-18 有何主要差別?
主要差別在於晶片感應面積。SG01D-18S 採用 0.06 mm² 的微型晶片,專為高輻照度與強光環境設計,可避免電路飽和;而 SG01D-18 採用 0.50 mm² 標準晶片,適合中低光強監測。
SG01D-18S 能否承受高溫環境?
可以。SG01D-18S 採用 TO18 氣密金屬封裝與 SiC 碳化矽晶片,工作溫度範圍達 -55°C 至 +170°C,非常適合放置於高溫測試箱或燈具內部。
如何向駿融企業採購 SG01D-18S 或索取完整 Datasheet?
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