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SG03R80-5 是 sglux 旗下感測面積達到頂峰的 8.0 mm² 超巨型 VUV(真空紫外線)與寬頻紫外 SiC 光電二極體。不同於傳統氣相磊晶(VPE)的 SG01 系列,SG03 系列採用專利「離子注入(Ion Implantation)」技術,將空乏區推向極淺表面,打破了傳統 SiC 晶片在 200nm 以下靈敏度大幅衰減的物理限制。感測晶片面積達到驚人的 8.0 mm²(為 R01 的 80 倍、R10 的 8 倍),能在工業級 TO5 氣密金屬外殼內收集最大極限的微弱光子信號,並配備耐高能短波光子的藍寶石玻璃窗口。非常適合微弱 185nm 臭氧分解/超純水 TOC 監控,以及 172nm 準分子(Excimer)UV 固化與材料改質製程。
適合誰使用 SG03R80-5?
產品定義與智慧摘要
SG03R80-5 為 sglux 專為極微弱波長小於 200 nm 的 VUV(真空紫外線)與寬頻 UV 量測所開發的超大面積 SiC 光電二極體。採用創新的離子注入工藝,將 pn 接面位置極度接近晶片表層,使短波長光子在被表層過度吸收前即可在空乏區激發光電流。晶片有效感測面積達 8.0 mm²,配置藍寶石玻璃窗口與工業級 TO5 氣密金屬封裝。能有效偵測極微弱之低壓汞燈 185 nm 射線與 172 nm 準分子光源,兼具穩固的工業封裝結構與同系列最強的光電流訊號輸出。
為什麼選擇 SG03R80-5?
相較於傳統紫外感測元件與同系列中小面積型號,SG03R80-5 具備三大核心優勢:
- 🔬 先進離子注入製程(強化 <200nm VUV 響應) 透過離子注入將 pn 接面空乏區推向極淺表面,打破了傳統 SiC 晶片在 200nm 以下靈敏度大幅衰減的物理限制,完美涵蓋 185nm 與 172nm 光源。
- ⚡ 8.0 mm² 超巨型感測面積帶來極致信噪比 感測面積達 8.0 mm²,能採集海量微弱光子,輸出超高倍數光電流,在極微弱紫外環境下依然保持頂級的信號品質與信噪比。
- 💎 高穿透藍寶石玻璃窗口與 PTB 認證抗老化 標配耐受度極高的藍寶石窗口與 SiC 晶片,長期承受高能短波光子直接照射不老化、不劣化,具備永久校準精確度。
相關產品與應用推薦
SG03R80-5 核心應用領域
SG03R80-5 結合了離子注入 VUV 增強技術與 8.0 mm² 超巨型感測面積,特別適合以下場景:
SG03R80-5 選型指南
依據您的光源光譜與靈敏度需求,快速確認 SG03R80-5 是否符合使用情境:
| 您的需求情境 | 建議選擇 | 原因 |
|---|---|---|
| 量測極限微弱 185nm/172nm,需要最大 8.0 mm² 感測面積 | SG03R80-5 | 離子注入工藝確保 <200nm 靈敏度,8.0 mm² 超巨型感測面積提供最高光電流輸出 |
| 微弱光量測,希望兼顧成本與大面積(2.0 mm² 或 1.0 mm²) | SG03R20-5 或 SG03R10-5 | 在極弱光感測與預算之間取得絕佳平衡的規格選擇 |
| 高光強直射監測(不需要大晶片面積) | SG03R01-5 (0.1 mm²) | 0.1 mm² 微型晶片面積,在高輻照度下不易飽和 |
| 常規 UVC 殺菌(254nm 汞燈或 275nm LED) | SG01 系列 C 系列 (如 SG01XL-C5) | 標準 SG01 系列在 220nm 以上具備極高性價比與專用濾光配置 |
| 不想自行設計微小電流放大電路 | 改用 UV 整合放大模組 (VOLTCON / TOCON) | 內建轉阻放大電路,直接輸出可用電壓信號 |
SG03R80-5 技術規格參數
| 規格項目 | 數值 |
|---|---|
| 產品系列 | SG03 系列(VUV 真空紫外超大面積增強型) |
| 光譜靈敏度範圍 | 120 至 355 nm (VUV+UVC+UVB+UVA) |
| 特殊應用波長 | 185 nm (Hg 低壓汞燈)、172 nm (準分子 Excimer) |
| 感測晶片面積 | 8.0 mm² (超巨型圓形有效感光區) |
| 窗口材料 | 藍寶石玻璃窗口 (Sapphire glass) |
| 封裝形式 | TO5 氣密金屬封裝 |
| 接腳配置 | 1 個隔離引腳,1 個外殼引腳 |
| 峰值響應波長 | 約 280 nm |
| 晶片製程技術 | SiC 碳化矽離子注入技術 (Ion Implantation) |
| 最高工作溫度 | 高達 170°C |
| 認證與晶片特性 | PTB 認證極高抗輻射老化能力 / 天然可見光盲 |
關於 SG03R80-5 的常見技術問題
SG03R80-5 光電二極體的完整技術規格為何?
SG03R80-5 是專為微弱 VUV(真空紫外線,<200nm)與寬頻 UV 量測設計的超大面積 SiC 光電二極體。採用先進離子注入工藝製造 pn 接面,感測晶片面積達 8.0 mm²,採用 TO5 藍寶石玻璃窗口氣密金屬封裝(具 1 個隔離引腳與 1 個外殼引腳)。峰值響應波長約 280 nm,光譜響應範圍涵蓋 120 至 355 nm,特別強化對 185nm 及 172nm 的探測靈敏度。
sglux 的 SG03 系列與標準 SG01 系列有什麼本質區別?
核心差異在於 pn 接面的製造工藝。標準 SG01 系列採用氣相磊晶(VPE)技術;而 SG03 系列採用離子注入(Ion Implantation)製程。離子注入技術使空乏區位置極其接近晶片表面,從而大幅減低短波長光子在進入感應區前的表層吸收,讓晶片具備低於 200nm(包括 185nm 汞燈射線與 172nm 準分子光)的優異光譜響應。
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